智冉SEEG颅内深部电极
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- 产品参数
智冉SEEG颅内深部电极
一、颅内深部电极产品介绍
智冉颅内深部电极，是专为药物难治性癫痫的术前准确评估以及前沿脑功能研究设计的高性能侵入式神经信号采集工具。它基于立体定向脑电图技术原理，旨在通过植入脑深部结构，直接记录癫痫起源灶及功能网络的电生理活动，其核心创新在于实现了宏观场电位与微观单神经元信号在同一空间位点的同步、跨尺度采集。
传统SEEG电极主要记录局部场电位，反映的是神经元群体的突触后电位总和。智冉SEEG电极采用了创新的“宏-微电极一体化”设计。在单根电极上，既包含了用于记录传统LFP的宏触点(间距通常为毫米级，沿电极长轴分布)，又集成了高密度的微触点阵列(间距可达微米级)。这种设计使医生和研究人员能够在同一植入轨迹上，同步获取反映脑区整体活动的场电位信号，以及分辨出单个或少数神经元放电的动作电位信号。这为理解癫痫发作从微观细胞异常到宏观网络传播的全过程提供了数据维度。
在技术规格上，该电极实现了通道密度的显著提升。单根电极可支持多达50个记录通道，其中包括最多32个高阻抗微触点。这种高密度配置大幅提升了在关键脑深部核团(如海马、杏仁核、丘脑等)内部信号采集的空间分辨率，能够更精细地描绘异常放电的起始点、传导路径以及功能连接的细节，从而为癫痫灶的准确三维定位提供更可靠的依据。
该产品主要服务于两个核心场景：一是临床，作为功能神经外科(特别是癫痫外科)进行术前评估的关键耗材，帮助外科医生制定更准确、更个体化的手术切除或消融方案，以提高手术成功率并大程度保留正常脑功能;二是科研，作为脑科学基础研究与转化医学(如脑机接口、神经调控靶点研究)的重要工具，用于探索认知、情绪、运动等脑功能的神经编码机制。
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产品名称：智冉颅内深部电极(SEEG， 宏-微一体化设计)
设计类型：侵入式、立体定向植入、多触点深部记录电极。
核心设计：
宏-微一体化：单根电极上集成用于记录局部场电位(LFP)的宏触点与用于记录神经元动作电位(Spike)的微触点阵列。
通道配置：
单电极总通道数：50通道。
微触点数量：最多可达32个通道(高阻抗，用于单位放电记录)。
宏触点数量：最多18个通道(低阻抗，用于LFP记录)，沿电极长轴分布。
触点间距：宏触点间距通常为3.5mm或5mm等标准间距;微触点间距为微米级，以实现高空间分辨率。
电极物理规格：
直径：符合临床SEEG植入标准的直径(通常为0.8mm)。
长度：多种规格可选，以适应不同脑深部靶点的植入深度需求。
材料：生物相容性材料(如铂铱合金触点，聚酰胺或硅胶绝缘鞘管)。
电学特性：
宏触点阻抗：典型值在几千欧姆范围，优化用于LFP采集。
微触点阻抗：典型值在几百千欧姆至兆欧姆范围，优化用于高频动作电位采集。
触点材料：铂铱合金或其他低极化、高稳定性材料。
信号采集能力：
可采集信号类型：同步采集局部场电位(LFP， 通常<300 Hz)和神经元动作电位(Spike， 通常300 Hz - 6 kHz)。
空间分辨率：得益于高密度微触点，具备亚毫米级的空间采样能力。
连接方式：电极尾端配备标准化、可靠的连接器接口，可与市面主流SEEG延长线及放大器系统兼容连接。
灭菌方式：提供经确认有效的灭菌包装(如环氧乙烷灭菌)，一次性使用。
主要用途：
临床诊断：药物难治性癫痫的术前致痫灶准确定位。
科学研究：脑深部核团的神经电生理研究、认知神经科学、脑功能网络绘制、高精度脑机接口信号源获取。
适用科室/场景：医院功能神经外科、癫痫中心、神经内科(术前评估团队);脑科学研究机构、神经工程实验室。